图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 2SB1216/2SD1816 |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集电极电流（Ic）（最大） | 4A |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| Vce饱和（最大）@ IB，IC | 500mV @ 200mA, 2A |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - |
| 直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE | 140 @ 500mA, 5V |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 频率转换 | 130MHz |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 供应商器件封装 | TP |
| 包装材料 | Bulk |
| 集电极最大直流电流 | 4 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 安装 | Through Hole |
| Maximum Transition Frequency | 180(Typ) |
| 包装宽度 | 2.3 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 1000 |
| 类型 | PNP |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最大集电极基极电压 | 120 |
| 最大集电极发射极电压 | 100 |
| 供应商封装形式 | TP |
| 最高工作温度 | 150 |
| 包装长度 | 6.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 最小直流电流增益 | 140@0.5A@5V |
| 包装高度 | 5.5 |
| 最大基地发射极电压 | 6 |
| 封装 | Bag |
| 标签 | Tab |
| 电流 - 集电极（ Ic）（最大） | 4A |
| 晶体管类型 | PNP |
| 安装类型 | Through Hole |
| 频率 - 转换 | 130MHz |
| 下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件 | 500mV @ 200mA, 2A |
| 标准包装 | 500 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 100V |
| 供应商设备封装 | TP |
| 功率 - 最大 | 1W |
| 封装/外壳 | TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB |
| 直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时 | 140 @ 500mA, 5V |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 发射极 - 基极电压VEBO | - 6 V |
| 最大功率耗散 | 1 W |
| 直流集电极/增益hfe最小值 | 70 mA |
| 集电极 - 发射极最大电压VCEO | 100 V |
| 安装风格 | Through Hole |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 连续集电极电流 | 4 A |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 系列 | 2SB1216 |
| Pd - Power Dissipation | 1 W |
| 品牌 | ON Semiconductor |
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